Tech et objets
Transistors bipolaires intégrés
Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000.
LE DÉTAIL ÉTRANGE
Transistors bipolaires intégrés
Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000.
L'EXPLICATION
Les puces actuelles
Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm 2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm 2 ).
LE FAIT CONCRET
La fin du transistor bipolaire était annoncée
Devant la concurrence des structures MOS (Metal Oxide Semiconductor) (très forte densité d’intégration, faible consommation), la fin du transistor bipolaire était annoncée.
À RACONTER
Dans les applications pour les télécommunications, la tendance actuelle
Dans les applications pour les télécommunications, la tendance actuelle est aux systèmes portables impliquant une faible tension d’alimentation (1,5 à 1 V) et une très faible consommation tout en maintenant de très hautes performances en fréquence et de faibles niveaux de bruit.
Pour vérifier et aller plus loin
Sources de la découverte
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Trois autres découvertes
Baie de stockage
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Le 9 mai 1964 : Hello, Dolly! (chanson)
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Le 11 mai 1972, Essai nucléaire américain sur le site d'essais du Nevada, faisant partie d'un double série d'essais connue les noms d'opération Grommet (en) et d'opération Toggle (en).
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